过渡金属硫属化合物，尤其是二硫化钼（MoS₂），作为典型的二维原子晶体材料，因具有原子级厚度、独特的三明治晶体结构、可调的带隙宽度与电子结构等，表现出了优异的电学与光电性能，被广泛认为是在未来足以取代硅成为后摩尔时代的最重要半导体材料之一。有许多研究表明，不同层数与堆垛结构的MoS₂可以展现出不同的电学与光电性质，然而，通常研究者们可以通过不加调控的化学气相沉积法（CVD）制备出MoS₂单晶薄膜，但因其贝塞尔平面（Basal Plane）所呈现的化学惰性，难以实现不同层数及堆垛结构MoS₂的可控制备。本文对传统CVD进行了改良，通过引入NaCl，使其与氧化后钼箔反应生成MoO_xCl_y来作为诱导MoS₂生长的前驱体，实现了超过99.5%的AA堆垛结构MoS₂薄膜，探讨了其生长机理。在此基础上，研究了不同层数AA堆垛结构的MoS₂内建电场及外场的调控与不同光场下的光电性质。将电场与光场进行耦合，展示了光与电场对AA堆垛结构MoS₂的协同调控机制，并实现了对其外量子效率以及光生载流子的调控。

相关成果以“Layer-by-layer Growth of AA-stacking MoS₂ for Tunable Broadband Phototransistors” 为题发表在著名期刊《ACS Applied Materials & Interfaces》上（中科院一区，川大B刊，影响因子9.229）。论文第一作者为bat365bat3652018级本科生罗夕艾，我校王泽高特聘研究员、丹麦Aarhus University董明东教授为共同通讯作者，bat3652018级本科生彭正瀚参与了该成果。论文第一通讯单位为bat365bat365。

上述研究工作得到国家自然科学基金项目(52002254)和四川省科技厅项目(2020YJ0262、2021YFH0127)等项目资助。

原文链接：

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.1c19906