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中科院合肥研究院在先进电子封装材料研究中取得系列进展
发布人:dengyingjuan 发布时间:2017-10-11 浏览次数:

石墨烯、碳纳米管等碳材料具备优异的传热性能,但其导电性能限制了它们在电子材料中的应用。六方氮化硼(hBN)作为石墨烯的等电子体,具有一定的能隙、原子级平整的表面,且表面没有悬挂键,适合与石墨烯通过非共价键进行杂化。课题组在不破坏材料结构的情况下,设计自组装合成出系列石墨烯/六方氮化硼(Graphene/hBN)杂化结构(图1-3)。利用导热组分在聚合物中选择性分布,获得绝缘导热杂化结构(图4)。通过模拟,验证了该杂化材料在散热领域的应用可行性。该类聚合物基复合材料拥有优异的传热性能和电绝缘性能,该材料在先进电子封装领域以及热管理领域具有广阔的应用前景。

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