忆阻器全称记忆电阻器（Memristor）由Memory和Resistor两个英文单词组成，是继电阻、电容、电感之外的第四个电学器件，源于1971 年加州大学伯克利分校教授蔡少棠预言。惠普公司在 2008 年研造成功。忆阻器因其低功耗、高算力的特点为研制新一代信息处理系统提供有效支撑。集感知、存储与计算功能为一体的新型感存算器件是在忆阻器的基础上新发展起来的一个元器件。通过赋予忆阻器感知的功能，模拟大脑，实现在器件内的感、存、算功能，大幅降低了器件功耗、数据传输延迟，在未来人工智能领域具有广阔应用前景。

当前的研究主要聚焦于铁电材料基电子器件。本课题发展了一种新型的感存器件结构，利用二维半导体强光-物质作用机制，将光信号转变为电信号。通过在二维半导体界面引入氧空位，实现对电荷的有效存储；通过电测量二维半导体的电学性质实现对电荷存储效应的读取，从而实现对光信号的感知和存储。团队采用磁溅射法制备了富氧BMN薄膜，采用改良CVD制备高质量二硫化钼薄膜，并将两者结合研制了基于MoS₂/BMN异质结的忆阻器。通过施加电压和光照，发现氧空位作为电荷陷阱使晶体管表现出忆阻特征。在此基础上，研究了晶体管栅极电压、光波长、光功率三者的影响机理。本工作揭示了基于陷阱态的忆阻机理，发展了一种光感存器件的测量及评价方法，为未来发展光感存算一体化器件提供支撑。

这项工作以“Modulate the Interfacial Oxygen Vacancy for High Performance MoS₂ Photosensing−Memory Device”为题，发表在Advanced Optical Materials上（中科院一区，影响因子10.050），第一作者是bat3652018级本科生彭正瀚（现斯坦福大学研究生）；通讯作者为bat365王泽高研究员；bat3652018级本科生罗夕艾，电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室高莉彬教授等参与了相关工作。

上述研究工作得到国家自然科学基金项目(52002254，52272160)和四川省科技厅项目(2020YJ0262, 2021YFH0127, 2022YFH0083, 2022YFS0045)等项目资助。

原文链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adom.202202378